Изучаются возможные причины температурного гистерезиса коэффициента Холла и диагональной компоненты сопротивления соответственно в трителлуридах и тетрателлуридах редкоземельных металлов. Ширина этого гистерезиса превышает 100 К в обоих семействах. Этот гистерезис связан с волной зарядовой плотности (ВЗП), однако его детальная природа пока еще обсуждается. Данные по рентгеноструктурному анализу указывают, что его нельзя объяснить температурным изменением волнового вектора ВЗП. Мы показываем, что этот эффект может быть результатом конкуренции между двумя типами перестройки электронного спектра: антикроссингом от пересечения двух электронных зон на уровне Ферми, образованных px и py-орбиталями Te, и ВЗП, которые имеют близкую энергию. Расчет электронной восприимчивости на волновом векторе ВЗП с и без антикроссинга электронного спектра дает удовлетворительную оценку температурного диапазона этого гистерезиса. Также рассчитана электронная восприимчивость RTe3 соединений как функция температуры, волнового вектора и параметров электронной дисперсии. Ее сравнение с имеющимися экспериментальными данными по температуре перехода и волновому вектору ВЗП позволяет прогнозировать эволюцию параметров электронной дисперсии в RTe3 с изменением атомного числа редкоземельных металлов (R).